企業新創 - 環境科技與能源應用
低缺陷密度八吋碳化矽晶圓技術
2025-01-14
格棋化合物半導體股份有限公司

碳化矽 (SiC) 技術在功率電子市場中的應用越來越廣泛,主要應用於額定電壓為600V或以上的應用場景。SiC器件相對於Si器件的優勢在業界內廣為人知,這些優勢包括高溫耐受性、高熱導率和高臨界電場。所有這些優點使得最終系統具有更小的體積、更高的效率和更低的散熱要求。 格棋化合物半導體,近十年投入高品質SiC長晶技術,自有技術掌握,透過材料選用、熱場設計、參數調整…等,提升晶體品質,有效控制大尺寸SiC晶圓上的致命缺陷和缺陷密度。 功率半導體,特別在MOSFET應用上,需要高品質6/8吋碳化矽晶圓基板,全球供應鏈中,高品質碳化矽仍供不應求產品,低缺陷密度8吋晶圓更為稀缺市場,格棋為IDM大廠以外唯一可供應低缺陷密度非中國供應商。

評審推薦
1.透過材料選用、熱場設計和參數調整等方式,有效提升大尺寸SiC(碳化矽)晶圓的品質,並成功控制致命缺陷和缺陷密度,具新創價值。
2.能提供接近甚至超越8吋碳化矽長晶技術性能的4H單晶碳化矽晶圓,展現出在商用市場上的競爭力及技術成熟度。
3.公司研發團隊具備優秀學經歷,具備充足的研發能量和技術創新能力。
公司簡介

格棋化合物半導體股份有限公司(以下簡稱「格棋」)成立於2022年。
格棋為專業碳化矽(SiC)技術供應商,對晶體生長與熱場設計具備相當之專業,在快速發展過程中,格棋以既有專業知識深入了解掌握第三代半導體材料,並致力於長晶、晶圓之技術開發及加工製造,團隊不斷追求更細緻的製程工藝和質量優化,以滿足客戶及市場對產品的需求,另著重上下游廠商之垂直整合,以貫通上中下游產業鏈,帶動擴大產業發展。
在日益競爭的產業環境中,格棋將秉持格物致知的精神,就當今市場發展及未來市場趨勢進行密切關注,不斷創新、開發新技術、提升產品品質,以專業技術及優異的服務品質為客戶提供更佳的選擇與解決方案,於航向第三代半導體新藍海過程中,為客戶及合作夥伴創造更有價值的競爭優勢,進而實現嶄新共好的未來。

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